来源：2023-05-25 00:00:00 热度：

“国产替代”进程加速！高真科技顺利完成19nm级8Gb LPDDR4产品开发

在国家网络安全审查办公室官网发布了美光科技产品未通过网络安全审查的消息后，国内DRAM领域迎来了一个重要的消息。根据业内人士透露，中国DRAM芯片厂商正在快速推进存储领域的核心技术攻关，从而弥补国内DRAM厂商在核心技术研发进程中的缺失。成立于2020年的成都高真科技有限公司已经成功开发了19nm级8Gb LPDDR4产品，并有望在不久的将来实现量产。这项突破为中国存储芯片“国产替代”进程打下了基础。全球DRAM市场主要由三星电子、SK海力士和美光科技垄断，形成了较高的技术、品牌及市场壁垒。高真科技的19nm级8Gb LPDDR4产品主要面向智能手机、可穿戴设备等移动数码产品。在下游消费市场逐渐恢复的驱动下，该产品在实现量产后或将进一步促进中国移动智能终端产品的发展，同时有望助力中国汽车产业智能化的发展。高真科技19nm级8Gb LPDDR4产品开发周期仅为10个月，远低于行业平均周期2-3年，成功实现了中国DRAM存储芯片制造领域的记录突破，成为国内仅有的两家具备主流DRAM产品一体化制造能力的厂商之一，另一家是长鑫存储。高真科技是由真芯（北京）半导体有限责任公司与成都市政府合作设立的，其实控人崔珍奭博士是仅有的两名可以实现全半导体领域从研发到量产经验的半导体顶级技术专家之一。崔珍奭博士曾经在全球三大DRAM芯片领域的其中两家长期任职核心高管，分别是三星电子的常务董事和SK海力士的CTO及COO。凭借崔珍奭博士在全球半导体产业界享有的声誉和号召力，高真科技已经引入了近200名拥有丰富行业经验的技术人才，其中大约有50名核心人才在全球TOP级存储芯片制造企业工作超过25年并已拥有领导地位。高真科技还是国内少有具备独立知识产权的半导体公司，其持有覆盖DRAM研发生产各环节的专利超过1000件。公司还拥有全球第四大1x制程DRAM技术平台，其仅次于三星、海力士和美光，具备独立自主可控能力。中国半导体行业目前正处于“国产替代”关键时期，在致力于解决核心技术“瓶颈”问题、产业链供应链安全自主可控成为共识之际，中国需要高真科技这类在半导体细分领域中技术领先且具有核心竞争优势的企业共同推动中国存储芯片自主可控研发进程，为帮助中国半导体产业攻破技术难题贡献力量。

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