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三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算
据美通社深圳报道，三星电子今日宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。此次采用前沿制造工艺的产品再次奠定了三星在尖端DRAM技术方面的优势。
"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示，通过差异化的工艺技术，三星业内领先的12纳米级DDR5 DRAM具备出色的性能和能效。最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。我们不仅致力于满足计算市场对大规模数据处理的需求，而且还将通过商业化的下一代解决方案，提升生产力。"
相比上一代产品，三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低23%，晶圆生产率提高20%，出色的能效表现，成为全球IT企业服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。
三星12纳米级工艺技术的开发借助了一种新型高κ材料，从而提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，使得它更加容易区分。同时，三星在降低工作电压并减少噪声方面的成果，使其更加适用于客户公司的需求。
三星12纳米级DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理超过60GB的数据。三星将持续扩大12纳米级DRAM的产品阵容，以满足不断增长的应用需求，助力人工智能、数据中心等下一代计算。
三星已于去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性评估，并将继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM市场的创新。
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