Intel Pentium 4 发售初期，因为市面没有其他足以匹配FSB 前端汇流排速度的记忆体，而选择采用较不常见的RDRAM 搭配，其后的主要技术来源即为Rambus 公司。近日Rambus 在一场投资者会议谈到未来记忆体趋势，DDR5 和HBM3 传输速度相较现行产品均翻倍。
如果大家还记得Rambus 公司，可能都是较为负面的消息，但这家公司手上依然有许多记忆体技术专利，虽然主导的RDRAM 无论在消费或企业市场都以失败收场，每年却靠这些专利拥有破亿美元的授权收入，在技术上依然有其领导地位。
根据ComputerBase 网站的消息，Rambus 近日于投资者会议稍微透露下世代记忆体的规格，HBM3 将使用7 纳米制程制造，具备4000Mbps 传输速度，DDR5 同样使用7 纳米，预期将有4800Mbps~6400Mbps 的传输速度。这些单pin 针脚传输传输速度，若是乘上1024bit 和64bit 的汇流排位元宽度，则最高相当于500GB/s 和50GB/s。
▲ HBM3和DDR5预计最高频宽均能翻倍。
现在谈下世代记忆体速度只是展望，HBM2 在显示卡市场还不是相当普及，DDR4 在AMD 和Intel 2 家的标准支援速度也才刚刚跨过等效2666MHz 门槛，还没有达到JEDEC 制定的最高规格3200MHz 。Rambus 所提的7 纳米制程，预计还要经过好几年才有办法进入量产阶段。
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